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等離子體修飾系統

等離子體修飾系統,利用卓聚自創的三溫區管式爐,通過氧氣輔助化學氣相沉積技術,在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質量的單層二硫化鉬薄膜。在生長過程中引入氧氣,不僅能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒,降低形核密度,而且還能減小硫空位密度,從而實現了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。

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    等離子體修飾系統,利用三溫區管式爐,通過氧氣輔助化學氣相沉積技術,在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質量的單層二硫化鉬薄膜。在生長過程中引入氧氣,不僅能夠阻止三氧化鉬源中毒,降低形核密度,而且還能減小硫空位密度,從而實現了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。

    利用等離子體修飾系統,在自限生長的前提下,目前已實現了兩英寸晶圓級高質量單層二硫化鉬的外延生長(100%覆蓋度,成膜均勻),并通過改進轉移設備,實現了晶圓級薄膜的零污染且襯底無損轉移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個藍寶石襯底上,而且沒有縫隙,沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米,相對取向為 60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。

    等離子體修飾系統產品優勢

    1、避免固態源中毒;

    2、成膜均勻性好;

    3、成膜面積大;

    4、快速、生長速度可控。

    等離子體修飾系統應用案例.png

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